收藏本站
Si4230DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.10
I D = 8 A
10
1
0.1
0.01
0.001
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.0 8
0.06
0.04
0.02
0.00
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.4
0.2
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
60
4 8
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.0
36
- 0.2
I D = 5 mA
24
- 0.4
- 0.6
- 0. 8
I D = 250 μA
12
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
10
1 ms
1
0.1
T A = 25 °C
10 ms
100 ms
1s
10 s
0.01
Single P u lse
B V DSS Limited
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area
www.vishay.com
4
Document Number: 68983
S-82660-Rev. A, 03-Nov-08
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4310BDY-T1-E3 MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 14SOIC
SI4313-B1-FM IC RX FSK 315-915MHZ 20VQFN
SI4320-J1-FT IC RCVR FSK 915MHZ 5.4V 16-TSSOP
SI4322-A0-FT IC RX FSK UNI 868/915MHZ 16TSSOP
SI4324DY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4330-B1-FM IC RCVR ISM 960MHZ 3.6V 20-QFN
SI4354DY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4355-B1A-FM IC EZRADIO FM RECEIVER SI4355
相关代理商/技术参数
SI4231-A0-FM 功能描述:射频发射器 Transmitters - IA4231 RoHS:否 制造商:Micrel 类型:ASK Transmitter 封装 / 箱体:SOT-23-6 工作频率:300 MHz to 450 MHz 封装:Reel
SI4232-A0-FM 功能描述:射频发射器 Transmitters - IA4232 RoHS:否 制造商:Micrel 类型:ASK Transmitter 封装 / 箱体:SOT-23-6 工作频率:300 MHz to 450 MHz 封装:Reel
SI426DQ 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 2.5-V (G-S) Rated MOSFET
SI4276DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SI4276DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A SO8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
SI4276DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30 Volts 8 Amps 2.8 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4286DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 40 V (D-S) MOSFET
Si4286DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40 Volts 7 Amps 2.9 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube